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PbSe探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在1.0-4.5微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備中。

PbS探測(cè)器硫化鉛探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在1.0-3.0微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備。

鍺探測(cè)器由于帶隙較窄，與硅探測(cè)器相比，鍺探測(cè)器有較高的漏電流，從可見(jiàn)光到1. 8μm 波長(zhǎng)范圍都有亞微秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間和高靈敏度。一般地，使用零偏壓以獲得高靈敏度，得到高速度要施加大反向偏壓。室溫下其探測(cè)率峰值約為2 x 10 11 cmHz1 / 2 W - 1。

硅光電探測(cè)器是光電器件重要的的組成部分，是可見(jiàn)光和近紅外波段主要的探測(cè)器。硅的探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在0.3-1.0微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備中。

InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范圍。通過(guò)改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測(cè)器的響應(yīng)度在終用戶所要求的波長(zhǎng)條件下達(dá)到大值，從而提高信噪比。

產(chǎn)品特點(diǎn)$n①光譜響應(yīng)范圍僅限于200-400nm 或 （210-380nm），不需要額外的濾光片來(lái)屏蔽可見(jiàn)光或紅外輻射；$n②試驗(yàn)證明，即使在1000W/m2強(qiáng)度的254nm光輻照下，仍然保持長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定性；$n③的溫度穩(wěn)定性（溫漂系數(shù): Tk< -0.06%/K），在150攝氏度的高溫下，仍然保持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性；$n④非常低的暗電流（fA Rang） ；$n⑤可集成航天質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的紫外窄帶濾光